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IRFB812中文资料采用 TO-220AB 封装的 500V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFB812

功能描述

采用 TO-220AB 封装的 500V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-11 23:00:00

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IRFB812规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS

应用 Application

• 电池驱动
• 消费类全桥
• 全桥
• 推挽

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFB812

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :TO-220

  • VDS max

    :500.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :2200.0mΩ

  • RDS (on) max

    :2200.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :2.3A

  • ID  max

    :2.3A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :3.6A

  • Ptot max

    :78.0W

  • QG 

    :13.3nC 

  • RthJC max

    :1.6K/W

  • Mounting 

    :THT

  • Tj max

    :150.0°C

  • Qgd 

    :4.8nC 

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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