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IRFB13N50APBF.	文件：97.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.450ohm, Id=14A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●High	IRF International Rectifier	IRF
IXFC13N50	文件：512.85 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC13N50	文件：323.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH13N50	文件：82.77 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH13N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFJ13N50	文件：362.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFJ13N50	文件：68.34 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Lowprofile,highpowerpackage •Longcreepandstrikedistances •Easyup-gradepathforTO-220designs •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedIn	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM13N50	文件：82.77 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM13N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM13N50	文件：317.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFB13N50APBFM	IR	22+	TO220	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRFB13N50APBFM	IR	23+	TO220	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRFB13N50APBFM	IR	23+	TO220	7000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRFB13N50APBFMOS(场效应管)	IR	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市湘达电子科技有限公司	IRFB13N50APBFMOS(场效应管)	VISHAY/威世	2022+	TO-220AB	8000	只做原装支持实单,有单必成。	询价
深圳庞田科技有限公司	IRFB13N50APBFMOS(场效应管)	VISHAY/威世	2023+	TO-220AB	50000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市博中泰实业有限公司	IRFB13N50APBFMOS(场效应管)	IR	24+	TO-220	60000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRFB13N50K	IR/VISHAY	23+	TO-TO-220	50150	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IRFB13N50K	IR/VISHAY	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRFB13N50K	IR/VISHAY	22+	TO-220	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价

更多IRFB13N50APBF.供应商更新时间2025-7-18 14:00:00

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