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IRF9Z14STRLPBFA	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14	文件：173.51 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.7A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z14	文件：277.14 Kbytes Page：9 Pages	RepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14	文件：277.86 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14	文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14	文件：270.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z14L	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) •Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14L	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14LPBF	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14LPBF	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14PBF	文件：1.64611 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF9Z14PBF	文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14PBF	文件：257.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=-60V,RDS(on)=0.50廓,ID=-6.7A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z14S	文件：361.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z14S	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14S	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) •Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14SPBF	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRF9Z14STRL	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z14STRLPBF	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多IRF9Z14STRLPBFA供应商更新时间2024-5-26 14:02:00

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