IRF9Z14L中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRF9Z14L规格书详情
特性 Features
Advanced process technology
Surface-mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S)
Low-profile through-hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L)
技术参数
- 型号：
IRF9Z14L
- 功能描述：
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-262 |
5367 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT-252 |
688888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
IR |
05+ |
原厂原装 |
901 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
Vishay / Siliconix |
2025+ |
56303 |
询价 | ||||
IR |
2015+ |
TO-262 |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR/VISH |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
VISHAY |
2018+ |
IRF9Z14PBF |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
询价 |
