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IRF9Z12	文件：329.04 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max) ·100%avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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ESD9Z12	文件：1.01726 Mbytes Page：4 Pages	SurfaceMountESDProtection Features Forsurfacemountedapplications Excellentclamping Fastresponsetime MainApplications Mobilephones Digitalcameras Portableapplications	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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IRF9Z12

文件：329.04 Kbytes

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isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max) ·100%avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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ESD9Z12

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SurfaceMountESDProtection

Features Forsurfacemountedapplications Excellentclamping Fastresponsetime MainApplications Mobilephones Digitalcameras Portableapplications

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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更多IRF9Z12供应商更新时间2025-5-20 14:00:00

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