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IRF9630S	文件：179.25 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancher	IRF International Rectifier	IRF
IRF9630S	文件：182.57 Kbytes Page：8 Pages	Repetitive avalanche rated DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630S	文件：181.35 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A);	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF9630SPBF	文件：181.35 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630STRLPBFA	文件：181.35 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9630S/SiHF9630S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF9630S
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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