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IRF9520NPBF规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced Process Technology
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• P-Channel
• Fully Avalanche Rated
• Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF9520NPBF
- 制造商：
International Rectifier
- 功能描述：
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.8A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-20
- 功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
- 功能描述：
100V SINGLE P CHAN HEXFET POWER MOSFET
- 功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
- 功能描述：
MOSFET P TO-220 TUBE 50
- 功能描述：
MOSFET, P, TO-220
- 功能描述：
Single P-Channel 100 V 48 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
- 功能描述：
MOSFET, P, TO-220; Transistor
- Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
- Id：
6.8A; Drain Source Voltage
- Vds：
100V; On Resistance
- Rds(on)：
480mohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
-4V; Power Dissipation
- Pd：
48W;;RoHS
- Compliant：
Yes
- 功能描述：
MOSFET P-Channel 100V 6.8A TO220AB
- 功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
13 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
80000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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原装 |
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INFINEON/IR |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-220 |
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IR |
220 |
08 |
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询价 | |||
IR |
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INFINEON/IR |
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TO-220-3 |
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IR |
24+ |
TO-220 |
30000 |
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询价 |
