首页 >IRF9410PBF其他被动元件>规格书列表
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GENERATIONVTECHNOLOGY | IRF International Rectifier | IRF | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=7A(VGS=10V) ●RDS(ON) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
FinalAudioOutputICforLDPlayers Overview TheLA9410finalaudiooutputICforlaserdiskplayershasaninternalinputamplifierforthe1-bitDAC,40kHzLPF,digital/analogsignalselectcircuit,outputmute,volumecircuit,mixingamplifierandlimittercircuitforRFoutput,andvoltageregulatorforplusandminuspowersu | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO | ||
MODULARIN-GRADELUMINAIRESINGLELENS | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | ETC1 | ||
SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
BipolarPowerTransistors BipolarPowerTransistors NPNSilicon •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus) =30Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE =85(Min)@IC=1.0Adc =60(Min)@IC=3.0Adc •LowCollector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat) =0.2Vdc(Max)@IC= | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | ||
BipolarPowerTransistorsNPNSilicon | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
BipolarPowerTransistorsNPNSilicon | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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