IRF9142中文资料三星数据手册PDF规格书
IRF9142规格书详情
FEATURES
• Low RDS(on)
• Improved inductive ruggedness
• Fsat switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
产品属性
- 型号：
IRF9142
- 制造商：
SAMSUNG
- 制造商全称：
Samsung semiconductor
- 功能描述：
P-CHANNEL POWER MOSFETS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO204 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-3 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-3 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-3(铁帽) |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
9042+ |
TO-3 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-3 |
10000 |
询价 | |||
21+ |
TO-3 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | |||
IR |
23+ |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
IR |
18+ |
TO-3 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
TO-3 |
50000 |
原装现货 |
询价 |
