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IRFS822	文件：270.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS822	文件：318.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISTS822S	文件：41.17 Kbytes Page：3 Pages	TRANSMISSIVEOPTO-ELECTRONICDUALCHANNELSLOTTEDINTERRUPTERSWITCHESWITHTRANSISTORSENSORS [Isocom] DESCRIPTION ThisseriesofphotointerruptersaredualchannelswitchesconsistingoftwoGalliumArsenideinfraredemittingdiodesandtwoNPNsiliconphototransistorsmountedinasidebysideconfigurationonoppositesidesofa2.5mmwideslot.Dualchannelsenabledirectionoftrav	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ISTS822SD	文件：41.17 Kbytes Page：3 Pages	TRANSMISSIVEOPTO-ELECTRONICDUALCHANNELSLOTTEDINTERRUPTERSWITCHESWITHTRANSISTORSENSORS [Isocom] DESCRIPTION ThisseriesofphotointerruptersaredualchannelswitchesconsistingoftwoGalliumArsenideinfraredemittingdiodesandtwoNPNsiliconphototransistorsmountedinasidebysideconfigurationonoppositesidesofa2.5mmwideslot.Dualchannelsenabledirectionoftrav	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
KM822J	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R.F.MoldedChokes [OhmiteMfg.Co.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
KRC822E	文件：113.64 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC822U	文件：113.96 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L-822	文件：20.59 Kbytes Page：1 Pages	HighBias/HighLAudioFrequencyInductors HighBias/HighLAudioFrequencyInductors Multi-PurposeApplications: BatteryFeed HoldingCoil SurgeRetardCoil	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
L822HW	文件：365.34 Kbytes Page：9 Pages	HIGHCURRENTMOLDEDPOWERINDUCTORS	SUPERWORLDSuperworld Electronics 超级世界电子超级世界电子公司	SUPERWORLD
LK822	文件：35.82 Kbytes Page：2 Pages	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERLDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitancesresu	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet

详细参数

型号：
IRF822R
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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更多IRF822R供应商更新时间2025-5-11 11:06:00

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