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Infineon/英飞凌原厂封装

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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INFINEONDIRECTFET

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十年沉淀唯有原装

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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IRN/A

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深圳市振芯物联科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)DirectFET-L8

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)DirectFET-L8

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INFINEONDIRECTFET

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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INFINEONDIRECTFET

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)DIRECTFET

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Infineon(英飞凌)DirectFET-L8

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Infineon(英飞凌)

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)DirectFET-L8

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深圳市创新迹电子有限公司

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INFINEON/英飞凌DIRECTFE

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市迈锐达科技有限公司

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INFINEONDIRECTFE

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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IRF7749L1TRPBF

Infineon(英飞凌)DirectFET-L8

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Infineon(英飞凌)_IRF7749L1TRPBF即刻询购立享优惠#长期有订

深圳市联世界科技有限公司

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Infineon(英飞凌)

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)DirectFET-L8

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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INFINEON/英飞凌NA

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IRF7749L2TR1PBF功能描述:MOSFET 60V 200A 1.5mOhm 220nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7749L2TRPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube