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1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
LASERDIODE 1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS InGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE FEATURES •Peakemissionwavelengthp=1550nm •OpticaloutputpowerPf=2.0mW •WideoperatingtemperaturerangeTC=40to+85C •/4-phase-shiftedDFB •InGaAsmonitorPIN-PD •Internalopticaliso | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE DESCRIPTION TheNDL7705PSeriesisa1550nmphase-shiftedDFB(DistributedFeed-Back)laserdiodemodulewithopticalisolator.MultipleQuantumWell(MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverwidetemperaturerangeof40to+85C. Itisdesig | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
详细参数
- 型号：
IRF7705
- 功能描述：
MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
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