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LMP7701MFXSLASHNOPB	文件：1.4439 Mbytes Page：44 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
ML7701	文件：236.68 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODESFOROPTICALCOMMUNICATION DESCRIPTION MitsubishiML7XX1seriesareInGaAsPlaserdiodesemittinglightbeamsaround1300nmwavelength.Theylasebyapplyingforwardcurrentexceedingthresholdvalues,andemitlightpowerofabout5mW/facetatanoperatingcurrentofaround15mAinexcessofthethresholdcurrent.Theyop	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
NCV7701	文件：53.2 Kbytes Page：6 Pages	2.0AmpH-BridgeDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV7701DW	文件：53.2 Kbytes Page：6 Pages	2.0AmpH-BridgeDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDL7701P	文件：82.5 Kbytes Page：8 Pages	1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE DESCRIPTION TheNDL7705PSeriesisa1550nmphase-shiftedDFB(DistributedFeed-Back)laserdiodemodulewithopticalisolator.MultipleQuantumWell(MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverwidetemperaturerangeof40to+85C. Itisdesig	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7701P	文件：67.81 Kbytes Page：8 Pages	1550nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSEAMODULATORINTEGRATEDMQW-DFBLASERDIODEMODULEFOR2.5Gb/sULTRALONG-REACHAPPLICATIONS DESCRIPTION TheNDL7910PisanEAmodulatorintegrated1550nmDFB-LDfor2.5Gb/s.ThenewlydevelopedbandgapenergycontrolledSelectiveMOVPEtechnologyisutilizedasfabricationmethod.Itisdesignedfor2.5Gb/sultralongreachapplications. FEATURES •Integratedelectroabsorptionmodu	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7701P	文件：66.93 Kbytes Page：8 Pages	1550nmCWLIGHTSOURCEInGaAsPSTRAINEDMQW-DFBLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX8562LBisa1550nmlaserdiodewithPolarizationMaintainFiber(PMF). ThisdeviceisdesignedasCWlightsourceandidealfortransmissionsystemsinwhichexternalmodulatorsareused. FEATURES •OutputpowerPf=20mWMIN. •WavelengthselectableforITU-Tstandards	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7701P	文件：74.73 Kbytes Page：8 Pages	1310nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE DESCRIPTION TheNDL7603PSeriesisa1310nmphase-shiftedDFB(distributedfeedback)laserdiodemodulewithsinglemodefiber.TheMultipleQuantumWell(st-MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverawidetemperaturerangeof-40to+85°C.It	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7701P	文件：71.13 Kbytes Page：8 Pages	CWLIGHTSOURCEInGaAsPSTRAINEDMQW-DFBLASERDIODEMODULEFORD-WDMAPPLICATIONS DESCRIPTION TheNX8563LBSeriesisa1550nmlaserdiodewithPolarizationMaintainFiber(PMF). ThisdeviceisdesignedasCWlightsourceandidealforD-WDMtransmissionsystemsinwhichexternalmodulatorsareused. FEATURES •OutputpowerPf=10mWMIN. •Wavelengthavailabilityλp=1	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7701P	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	1550nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPSTRAINEDMQWDFBDC-PBHLASERDIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
IRF7701
功能描述：
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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