选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRMSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRMSOP8 |
3333 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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IRMSOP-8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRMSOP8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IRSOP-8 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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IORMSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IRMSOP-8 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRMSOP8 |
2800 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRMSOP8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
6050 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
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IORMSOP8 |
2960 |
22+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IR/INFINEONSOP-8 |
3999 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
IRF7521D1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7521D1图片
IRF7521D1TRPBF价格
IRF7521D1TRPBF价格:¥1.7973品牌:IR
生产厂家品牌为IR的IRF7521D1TRPBF多少钱,想知道IRF7521D1TRPBF价格是多少?参考价:¥1.7973。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF7521D1TRPBF批发价格及采购报价,IRF7521D1TRPBF销售排行榜及行情走势,IRF7521D1TRPBF报价。
IRF7521D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7521D1功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7521D1PBF功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 200 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7521D1TR功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7521D1TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 2.4A 35mOhm 5.3nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube