IRF740AS中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRF740AS规格书详情
特性 Features
Low gate charge Qg results in cimple drive requirement
Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
技术参数
- 型号:
IRF740AS
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/VISHAY |
24+ |
NA/ |
32365 |
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Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
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IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
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IR |
24+ |
TO263 |
10500 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
TO263 |
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IR |
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TO-263 |
880000 |
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IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
询价 | |||
Vishay |
17+ |
TO-263 |
6200 |
询价 | |||
IR/VISHAY |
23+ |
D2-PAK |
6000 |
原装正品,支持实单 |
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