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KDR730F	文件：10.95 Kbytes Page：1 Pages	TFSCPACKAGE LOWCURRENTRECTIFICATION ANDHIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage. •HighReliability. •SmallPackage. •SuffixU:QualifiedtoAEC-Q101. ex)KDR730F-RTK/HU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR730V	文件：32.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE LOWCURRENTRECTIFICATIONANDHIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage. •HighReliability. •SmallPackage.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KM730N	文件：110.02 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableShieldedRFCoil(I)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM730N	文件：133.9 Kbytes Page：1 Pages	10mmADJUSTABLERFCOILS(SHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM730N-LFR	文件：110.02 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableShieldedRFCoil(I)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KRA730E	文件：49.81 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA730U	文件：50.19 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM730	文件：657.39 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB730	文件：670.06 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF730	文件：733.64 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF730STRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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