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LCB710S

Single-Pole,NormallyClosedOptoMOSRelay

IXYS

IXYS Corporation

LCB710STR

Single-Pole,NormallyClosedOptoMOSRelay

IXYS

IXYS Corporation

LED710

InfraredLED

ROITHNER

Roithner LaserTechnik GmbH

LM710

VoltageComparator

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM710CH

VoltageComparator

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM710CN

VoltageComparator

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM710H

VoltageComparator

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV710

LowPower,RRIOOperationalAmplifierswithHighOutputCurrentDriveandShutdownOption

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV710

SINGLELOW-POWERRRIOOPERATIONALAMPLIFIERSWITHHIGHOUTPUTCURRENTDRIVEANDSHUTDOWN

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMV710

SINGLELOW-POWERRRIOOPERATIONALAMPLIFIERS

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号:

    IRF710STRR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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