HEXFET짰 Power MOSFET plus Schottky Diode?

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Infineon

英飞凌

RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide

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IRF

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IRF

25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET 和肖特基二极管，采用 DirectFET MX 封装，额定电流为 33 安培，具有低导通电阻。

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 100% 经过接地电阻测试\n• 纤薄外形（小于0.7毫米）\n• 双面冷却\n• 低通态损耗\n• 针对高频开关进行了优化\n• 低封装电感\n• 集成单片肖特基二极管;

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