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IRF6775MPBF

Latest MOSFET Silicon technology

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IRF

IRF6775MPBF

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IRF6775MPBF_15

Latest MOSFET Silicon technology

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IRF6775MTR1PBF

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF6775MTRPBF

DIGITAL AUDIO MOSFET

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IRF6775MTRPBF

Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

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IRF

IRF6775M

采用 DirectFET ™ MZ 封装的 150V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对最广泛的可用性进行了优化\n• 高额定电流\n• 封装高度低至 0.7 毫米\n• 100% 无铅(无 RoHS 豁免);

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRF6775M

  • 功能描述:

    MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 25nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRF6775M供应商 更新时间2025-11-26 9:06:00