| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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3140 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRFET ST |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRFET ST |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IRNA/ |
4250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRQFN |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEON TECHNOLOGIESSMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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QFN |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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IRDirectFETtradeIso |
7500 |
07+/08+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRQFN |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市达恩科技有限公司10年
留言
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3140 |
22+ |
原装原装原装 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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IRQFN |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRQFN |
12800 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRQFN |
1000 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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IRSOT223 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRQFN |
1000 |
14+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONDirectFET? Isometric ST |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRQFN |
50000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? ST |
4800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRQFN |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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IRF6722S图片
IRF6722STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6722SPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6722STR1PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6722STRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
