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IRF6709S2TR1PBF

DirectFETPower MOSFET

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IRF

IRF6709S2TRPBF

Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

文件:2.62043 Mbytes 页数:6 Pages

IRF

IRF6709S2TRPBF

DirectFETPower MOSFET

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IRF

IRF6709S2TR1PBF

DirectFET\u0001\u0001Power MOSFET

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRF6709S2

  • 功能描述:

    MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 8.1nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多IRF6709S2供应商 更新时间2025-12-13 19:07:00