| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MA |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MA |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? 等容 MA |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET MA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MA |
4800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MA |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MA |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MA |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Infineon TechnologiesDirectFET? 等容 MA |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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INFINEONDIRECTFET MA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MA |
1000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MA |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IRF6702M2D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF6702M2D图片
IRF6702M2DTRPBF价格
IRF6702M2DTRPBF价格：￥0.0000品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRF6702M2DTRPBF多少钱，想知道IRF6702M2DTRPBF价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF6702M2DTRPBF批发价格及采购报价，IRF6702M2DTRPBF销售排行榜及行情走势，IRF6702M2DTRPBF报价。
IRF6702M2DTR1PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6702M2DTR1P功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6702M2DTR1PBF功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF6702M2DTRPBF功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
