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AQW614AX	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)Type[2-Channel(FormAFormB)Type] PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Approx.1/2thespacecomparedwiththemountingofasetof1FormAand1FormBphotoMOSrelays 2.Applicablefor1FormA1FormBuseaswellastwoindependent1FormAand1FormBuse 3.Lowthermalelectromotiveforce(Approx.1µV) 4.Eliminat	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQW614AZ	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)Type[2-Channel(FormAFormB)Type] PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Approx.1/2thespacecomparedwiththemountingofasetof1FormAand1FormBphotoMOSrelays 2.Applicablefor1FormA1FormBuseaswellastwoindependent1FormAand1FormBuse 3.Lowthermalelectromotiveforce(Approx.1µV) 4.Eliminat	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQW614EH	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQW614EH	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1Ω). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQW614EHA	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1Ω). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQW614EHA	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
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AQW614EHAZ	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
ATF614	文件：81.67 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGTHYRISTOR	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BA614A	文件：73.29 Kbytes Page：2 Pages	TheBA614AissixDarlingtontransistorarraywithinputresistors TheBA614AissixDarlingtontransistorarraywithinputresistors.Theinputsandoutpusarearrangedonadjacentpinstoalloweasyboardlayout. Applications Solenoidhammerdrivers Relaydrivers LEDdrivers	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BCL-614	文件：178.02 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor6AWGWire,StudSize1/4,Un-Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-614-PL	文件：178.12 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor6AWGWire,StudSize1/4,Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-614-WP	文件：178.05 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor6AWGWire,StudSize1/4,Un-PlatedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-614-WP-PL	文件：178.48 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor6AWGWire	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BD614	文件：127.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BGA614	文件：516.559 Kbytes Page：8 Pages	SiliconGermaniumBroadbandMMICAmplifier	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGA614	文件：298.63 Kbytes Page：9 Pages	SiliconGermaniumBroadbandMMICAmplifier	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BY614	文件：30.7 Kbytes Page：6 Pages	Miniaturehigh-voltagesoft-recoveryrectifier DESCRIPTION Miniatureglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURE	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
IRF614STRL
功能描述：
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF614STRL供应商更新时间2024-5-9 10:50:00

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