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KBJ610	文件：220.48 Kbytes Page：2 Pages	Single-phaseSiliconBridgeRectifierReverseVoltage50to1000VForwardCurrent6.0A [DACHANGELECTRONICS] ReverseVoltage50to1000V ForwardCurrent6.0A Features •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecapability •170ASurgeoverloadrating:170Amperespeak	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
KBJ610	文件：41.12 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-6.0Amperes FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Idealforprintedcircuitboard ●Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBJ610	文件：341.09 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIERS3.0to6.0Amps BRIDGERECTIFIERS3.0to6.0Amps BRIDGERECTIFIERS6.0to8.0Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
KBJ610	文件：386.969 Kbytes Page：2 Pages	6A1000VRectifyingbridge	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
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KBJ610	文件：479.83 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
KBJ610	文件：541.99 Kbytes Page：2 Pages	PlasticmaterialhasUnderwritersLaboratory	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC

详细参数

型号：
IRF610P
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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