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POWERMOSFETP-CHANNEL(Vdss=-100V,Rds(on)=0.117ohm,Id=-18A) HEXFET®POWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-0.5) FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconunitarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicede | IRF International Rectifier | IRF |
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