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Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Surface Mount • Available in 文件：177.08 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Surface Mount • Available in 文件：177.08 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Power MOSFET 文件：218.01 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
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详细参数
- 型号：
IRF530STR
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 14 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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