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IRF530NSPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：275.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF530NSPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：284.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF530NSPBF_15	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：284.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF530NSTRLPBF	文件：876.19 Kbytes Page：4 Pages	Advanced Process Technology Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：876.19 Kbytes 页数：4 Pages	IRF	IRF
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IRF530PBF	文件：3.55687 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements 文件：3.55687 Mbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF530NSP
功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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