IRF4S3中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF4S3
功能描述	N-CHANNE POWER MOSFETS
文件大小	136.22 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
中文名称	新泽西半导体新泽西半导体公司
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更新时间	2025-12-12 20:05:00
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FEATURES

• Low Rds(on) ) at high voltage

• Improved Inductive ruggedness

• Excellent high voltage stability

• Fast switching times

• Rugged polysillcon gate cell structure

• Low Input capacitance

• Extended safe operating area

• Improved high temperature reliability

• TO-3 package (High voltage)

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