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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IRF3711ZC

IRTO-263

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22+

原装正品,实单请联系

深圳市金华微盛电子有限公司

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2019+

原厂渠道 可含税出货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRD2-Pak

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原装正品 可含税交易

中天科工半导体(深圳)有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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IR

原包原标签100%进口原装常备现货!

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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13800

21+ROHS

原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRTO-263

6523

1816+

科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!

深圳市科翼源电子有限公司

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3200

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原厂原装正品

深圳兆威电子有限公司

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90000

23+

只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市振宏微科技有限公司

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28000

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原装正品

深圳市汇莱威科技有限公司

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562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳市杰顺创科技有限公司

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5587

21+

原装现货库存

深圳兆威电子有限公司

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90000

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全新原装正品/库存充足

深圳市得捷芯城科技有限公司

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IRNA/

3950

23+

原装现货,当天可交货,原型号开票

深圳市特顺芯科技有限公司

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IRD2-Pak

8866

08+(pbfree)

深圳市博浩通科技有限公司

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IRTO-263(D

7300

23+

专业优势供应

瀚佳科技(深圳)有限公司

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IRTO-263

16800

2020+

绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO-262

265209

假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市惊羽科技有限公司

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深圳市惊羽科技有限公司

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IRF3711ZCLPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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IRF3711ZCSTRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF3711ZCSTRLP功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF3711ZCSTRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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