IRF3708S中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书
IRF3708S规格书详情
Benefits
● Ultra-Low Gate Impedance
● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
● High Frequency DC-DC Isolated Converters
with Synchronous Rectification for Telecom
and Industrial Use
● High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
产品属性
- 型号：
IRF3708S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
28800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
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IR |
14+ |
TO-263 |
3100 |
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IR |
23+ |
D2-Pak |
8600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
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IR |
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D2-Pak |
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