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IRFR3707PBF	文件：221.2 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Benefits ●Ultra-LowRDS(on) ●VeryLowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower ●Le	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3707PBF	文件：3.48615 Mbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowRDS(on) ●VeryLowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower ●Le	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR3707TRPBF	文件：230.16 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3707Z	文件：215.29 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse Benefits VeryLowRDS(on)at4.5VVGS Ultra-LowGateImpedance FullyCharacterizedAvalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3707Z	文件：336.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3707Z	文件：680.2 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Applications HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower Benefits VeryLowRDS(on)at4.5VVGS Ultra-LowGateImpedance FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Lead-Free VDSS=30V RDS(on)max=9.5m Qg=9.6nC	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR3707ZCPBF	文件：295.1 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3707ZCPBF	文件：4.64683 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3707ZCPBF	文件：4.29259 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IRF3707ZS
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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