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IRFH3707TRPBF	文件：210.66 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits LowRDS(ON) VeryLowGateCharge LowJunctiontoPCBThermalResistance FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent 100TestedforRG Lead-Free(Qualifiedupto260°CReflow) RoHScompliant(HalogenFree) Applications SynchronousBuckConverterforCompu	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR3707	文件：136.17 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)max=13mohm,Id=61A?? Applications HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits Ultra-LowRDS(on) VeryLowGateImpedance FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3707	文件：3.39408 Mbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3707	文件：534.58 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Benefits VeryLowRDS(on)at4.5VVGS Ultra-LowGateImpedance FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Lead-Free	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR3707PBF	文件：221.2 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Benefits ●Ultra-LowRDS(on) ●VeryLowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower ●Le	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3707PBF	文件：3.48615 Mbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowRDS(on) ●VeryLowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower ●Le	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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详细参数

型号：
IRF3707ZCSPBF
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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