| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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10年
留言
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IR原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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10年
留言
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IR原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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6年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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10年
留言
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IRTO-263 |
6896 |
最新 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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5年
留言
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IRTO-263 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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5年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
29840 |
26+ |
主营MOS管 二极.三极管 肖特基二极管.功率三极管 |
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3年
留言
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IRTO-263 |
7000 |
23+ |
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14年
留言
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IRTO-263 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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10年
留言
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IRSOP8LNB |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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10年
留言
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IRSOT-23 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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1年
留言
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IORTO-263 |
553 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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13年
留言
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IRTO263 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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13年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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16年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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12年
留言
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IRSOT-263 |
7551 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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12年
留言
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IRTO-263 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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12年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
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IRD2PAK |
23983 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
IRF3704STR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF3704STR图片
IRF3704STRR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3704STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704STRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3704STRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
























