选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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16年
留言
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IR原厂原装 |
1201 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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14年
留言
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IRTO-262 |
35890 |
NEW |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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4年
留言
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IR262 |
860000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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4年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
7000 |
23+ |
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5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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6年
留言
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INFINEONTO-262 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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13年
留言
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IRTO-262-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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4年
留言
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IRTO-262 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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5年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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3年
留言
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IR262 |
8880 |
25+ |
原装认准芯泽盛世! |
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6年
留言
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INFINEONTO-262 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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17年
留言
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IR |
50 |
0703 |
公司优势库存 热卖中! |
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4年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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5年
留言
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INFINEONTO-262-3 Long Leads, I2Pak, |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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INFINEONTO-262-3 Long Leads, I2Pak, |
7000 |
23+ |
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6年
留言
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INFINEONTO-262 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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13年
留言
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IRTO-262-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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4年
留言
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INFINEONTO-262-3 Long Leads, I2Pak, |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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IRF3704L图片
IRF3704LPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3704L功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704LPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件