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IRF3205L中文资料55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF3205L

功能描述

55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 10:50:00

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IRF3205L规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF3205L

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :I2PAK (TO-262)

  • VDS max

    :55.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :8.0mΩ

  • RDS (on) max

    :8.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :80.0A

  • ID  max

    :110.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :110.0A

  • Ptot max

    :200.0W

  • QG 

    :97.3nC 

  • Mounting 

    :THT

  • RthJC max

    :0.75K/W

  • Qgd 

    :36.0nC 

  • Tj max

    :175.0°C

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-262
8866
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Infineon/英飞凌
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