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KN2907AS	文件：498.54 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.);VCE=-30V,VEB=-0.5V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.);IC=-150mA,IB=-15mA. •ComplementarytoKN2222S/AS.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN2907S	文件：261.019 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.);VCE=-30V,VEB=-0.5V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.);IC=-150mA,IB=-15mA. •ComplementarytoKN2222S/AS.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN2907S	文件：48.44 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSP2907A	文件：35.39 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •Collector-EmitterVoltage:VCEO=60V •CollectorPowerDissipation:PC(max)=625mW •Suffix“-C”meansaCenterCollector(1.Emitter2.Collector3.Base) •Nonsuffix“-C”meansaSideCollector(1.Emitter2.Base3.Collector) •AvailableasPN2907A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2907A	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2907ABU	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2907ACBU	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2907ACTA	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2907ATA	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP2907ATF	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRF2907S
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
AUTOMOTIVE MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRF2907S	IR	23+	TO-263	35890		询价
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