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IRF2903ZSPBF	文件：352.24 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：352.24 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2903ZSPBF	文件：344.76 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：344.76 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2903ZSPBF_15	文件：352.24 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：352.24 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2903Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 30V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF2903ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF2903ZLPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF2903ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
2.4 mΩ
ID @25°C max：
260 A
QG typ @10V：
160 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF2903Z供应商更新时间2025-11-29 10:01:00

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