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S2807S	文件：138.16 Kbytes Page：9 Pages	HYBRID-HIGHRELIABILITYRADIATIONHARDENEDLOWPOWERDC-DCCONVERTER Description TheS-SeriesofDC-DCconvertersarelowpowerradiationhardened,highreliabilitydevicesdesignedforhostileradiationenvironmentssuchasthoseencounteredbygeostationaryearthorbitsatellites,deepspaceprobesandcommunicationsystems.Featuresincludesmallsize,higheff	IRF International Rectifier	IRF
SCH2807	文件：50.52 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanN-channelsiliconMOSFET(SCH1407)andaschottkybarrierdiode(SS05015)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitc	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SVSA2807D/H+	文件：787.42 Kbytes Page：14 Pages	SPACEQUALIFIEDHYBRIDDC-DCCONVERTERS	VPT VPT, Inc.	VPT
SVSA2807D/H+-E	文件：787.42 Kbytes Page：14 Pages	SPACEQUALIFIEDHYBRIDDC-DCCONVERTERS	VPT VPT, Inc.	VPT
SVSA2807D/K	文件：787.42 Kbytes Page：14 Pages	SPACEQUALIFIEDHYBRIDDC-DCCONVERTERS	VPT VPT, Inc.	VPT
SVSA2807D/K-E	文件：787.42 Kbytes Page：14 Pages	SPACEQUALIFIEDHYBRIDDC-DCCONVERTERS	VPT VPT, Inc.	VPT
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详细参数

型号：
IRF2807ZLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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