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深圳市众芯源半导体有限公司

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INFINEON/英飞凌D2PAK

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-263

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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市中联芯电子有限公司

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IR/INFINEONTO-263

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只做原装 有挂有货 假一罚十

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-263-2

22412

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深圳市讯顺达科技有限公司

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INFINEONTO-263

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全新原装公司现货

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-263-2

22412

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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IRTO-263

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-263-2

22412

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市凌旭科技有限公司

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INFINEONTO-263

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十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

深圳市龙瀚电子有限公司

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IRTO-263

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深圳市荣泽信电子科技有限公司

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IRN/A

5000

24+

全新进口原装现货,价优

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-263

8000

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专注配单,只做原装进口现货

天津市博通航睿技术有限公司

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IRTO-263

7000

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深圳市莱克讯科技有限公司

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IRTO-263

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原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRTO-263

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22+

终端可免费供样,支持BOM配单

深圳市赛特兴科技有限公司

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INFINEON/英飞凌D2PAK

88000

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正规渠道,只有原装!

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌D2PAK

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INFINEON/英飞凌TO-263

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IRF2807STRL功能描述:MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF2807STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF2807STRR功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB

IRF2807STRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 82A 3PIN D2PAK - Tape and Reel

IRF2807STRRPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube