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IRFI1310G	文件：361.47 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.04ohm,Id=22A) VDSS=100V RDS(on)=0.04Ω ID=22A Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatH	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310N	文件：104.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=24A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310N	文件：267 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI1310NPBF	文件：242.9 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310NPBF	文件：243.86 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310NPBF	文件：1.91998 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFM1310ST	文件：24.06 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
ISC-1310FB	文件：199.9 Kbytes Page：4 Pages	Industrial1-portRS-232/422/485toFiberserialmediaconverter	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
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ISC-1310FB-SS	文件：199.9 Kbytes Page：4 Pages	Industrial1-portRS-232/422/485toFiberserialmediaconverter	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING

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详细参数

型号：
IRF1310NPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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