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IR3598MTR1PBF功能描述:MOSFET Romulus Dual/ Doubler Driver RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

产品属性

产品编号：
IR3598MTR1PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.7V，1.3V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，12ns
工作温度：
0°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN