IR25600中文资料25 V dual low-side gate driver IC数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IR25600 |
参数属性 | IR25600 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
功能描述 | 25 V dual low-side gate driver IC |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
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IR25600规格书详情
描述 Description
双低边驱动器 IC,具有典型的 2.3 A 拉电流和 3.3 A 灌电流,采用 8 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
特性 Features
• 栅极驱动电源范围:6 V 至 20V
• CMOS 施密特触发输入
• 双通道的匹配传播延迟
• 输出与输入同相
优势:
简介
IR25600属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IR25600栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 制造商编号
:IR25600
- 生产厂家
:Infineon
- Product Status
:active
- Voltage Class
:25 V
- Output Current Source min
:1.5 A
- Output Current Source
:2.3 A
- Output Current Sink min
:1.5 A
- Output Current Sink
:3.3 A
- Channels
:2
- Configuration
:Low-side
- Qualification
:Industrial
- Isolation Type
:Non-isolated
- Switch Type
:IGBT/MOSFET
- Package name
:PDIP8
- Turn On Propagation Delay max
:160 ns
- Turn On Propagation Delay
:85 ns
- Turn Off Propagation Delay max
:150 ns
- Turn Off Propagation Delay
:65 ns
- Input Vcc min
:6 V
- Input Vcc max
:20 V
- Output Vbs min
:6 V
- Output Vbs max
:20 V
- Rise Time max
:160 ns
- Rise Time
:85 ns
- Fall Time max
:150 ns
- Fall Time
:65 ns
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP8 |
7350 |
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IR |
24+ |
NA/ |
5490 |
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Infine |
25+ |
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IR |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
SOIC-8N |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
SOIC-8N |
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IR |
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SOP-8 |
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INFINEON/英飞凌 |
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IC |
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IR |
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na |
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