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AM2308N	文件：337.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM2308NE	文件：119.45 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2308GEN	文件：1.03548 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP2308GEN	文件：70.01 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2308GEN-HF	文件：64.11 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,LowerGateCharge	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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APA2308JITR	文件：532.86 Kbytes Page：12 Pages	ClassABStereoHeadphoneDriver GereralDescription TheAPA2308isanintegratedclassABstereoheadphonedrivercontainedinanSO-8,aDIP-8oraTSSOP-8plasticpackage.TheAPA2308iscapableofdelivering280mWofmax.Outputpowertoan8Ωloador110mWtoa32Ωloadwithlessthan10(THD+N)froma5Vpowersupply.T	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APA2308JITU	文件：532.86 Kbytes Page：12 Pages	ClassABStereoHeadphoneDriver GereralDescription TheAPA2308isanintegratedclassABstereoheadphonedrivercontainedinanSO-8,aDIP-8oraTSSOP-8plasticpackage.TheAPA2308iscapableofdelivering280mWofmax.Outputpowertoan8Ωloador110mWtoa32Ωloadwithlessthan10(THD+N)froma5Vpowersupply.T	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
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APA2308OITU	文件：532.86 Kbytes Page：12 Pages	ClassABStereoHeadphoneDriver GereralDescription TheAPA2308isanintegratedclassABstereoheadphonedrivercontainedinanSO-8,aDIP-8oraTSSOP-8plasticpackage.TheAPA2308iscapableofdelivering280mWofmax.Outputpowertoan8Ωloador110mWtoa32Ωloadwithlessthan10(THD+N)froma5Vpowersupply.T	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2308AC-TRL	文件：1.85721 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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BDT-2308H	文件：85.94 Kbytes Page：1 Pages	BDT-2308H	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
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产品属性

产品编号：
IR2308SPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
150ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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