选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)SOP-28-300mil |
1612 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Infineon Technologies28-SOIC(0.295,7.50mm 宽) |
28016 |
23+ |
|
英飞凌电源管理芯片-原装正品 |
||
|
深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
|
Infineon/英飞凌SOIC28W |
6000 |
21+ |
原装现货正品 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRSOP28 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
|
Infineon/英飞凌SOIC28W |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOP28 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
|
Infineon Technologies28-SOIC |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
|
Intern |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
SOP28 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
|
INFINEON/英飞凌 |
45000 |
2021+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOP28 |
4521 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOP28 |
5590 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOP28 |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市近平电子有限公司8年
留言
|
IRSOP |
6000 |
0606+ |
绝对原装自己现货 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
|
IRSOP28 |
28000 |
23+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
IRSOP28 |
9896 |
23+ |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRSOP28 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOP28 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
InternationalRectifier28-SOIC |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
|||
|
深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
|
INFINEON/英飞凌 |
45000 |
21+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
IR2235STRPBF采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IR2235STRPBF图片
IR2235STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2235STRPBF功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IR2235STRPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
3 相
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
250mA,500mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
90ns,40ns
- 工作温度:
125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:
28-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC