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MAX2235EUP	文件：1.08739 Mbytes Page：8 Pages	3.6V,1WAutorampingPowerAmplifierfor900MHzApplications Features ●800MHzto1000MHzOperation ●HighOutputPowerat836MHz •+32.5dBmat+5.0V •+30dBmat+3.6V •+29dBmat+3.0V •+28dBmat+2.7V ●+2.7Vto+5.5VSingle-SupplyOperation ●AutomaticPower-Up/Power-DownRamp ●DirectOn/OffKeying(OOK)withoutIntersymbol InterferenceorVC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX2235EUP	文件：149.59 Kbytes Page：8 Pages	3.6V,1WAutorampingPowerAmplifierfor900MHzApplications GeneralDescription TheMAX2235low-voltage,siliconRFpoweramplifier(PA)isdesignedforuseinthe900MHzfrequencyband.Itoperatesdirectlyfromasingle+2.7Vto+5.5Vsupply,makingitsuitableforusewith3-cellNiCdor1-cellLi-Ionbatteries.Thedevicedelivers+30dBm(1W)typical	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX2235EVKIT	文件：160.12 Kbytes Page：4 Pages	EvaluationKit	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MC2235	文件：1.23862 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MMUN2235	文件：438.62 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistorNPNSilicon BiasResistorTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMUN2235	文件：470.99 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMUN2235	文件：2.45656 Mbytes Page：11 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateBiasResistorTransistor SOT-23Plastic-EncapsulateBiasResistorTransistor NPNSilicon	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MMUN2235L	文件：110.66 Kbytes Page：12 Pages	NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2235L	文件：149.49 Kbytes Page：12 Pages	NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2235L	文件：140.21 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
IR2235S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
3 相
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
90ns，40ns
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

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