IR2121中文资料PDF规格书
IR2121规格书详情
Description
The IR2121 is a high speed power MOSFET and IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and limits the gate drive voltage.
Features
• Gate drive supply range from 12 to 18V
• Undervoltage lockout
• Current detection and limiting loop to limit driven power transistor current
• Error lead indicates fault conditions and programs shutdown time
• Output in phase with input
• 2.5V, 5V and 15V input logic compatible
• Also available LEAD-FREE
产品属性
- 产品编号：
IR2121
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
散装
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
12V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.6A，3.3A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
43ns，26ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-PDIP
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
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IR |
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IR |
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IR |
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IR |
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IR |
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IR |
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IR |
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