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IRS2113S	文件：566.21 Kbytes Page：19 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRS2113SPBF	文件：493.17 Kbytes Page：19 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIRS2110/IRS2113arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMO	IRF International Rectifier	IRF
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IRS2113STRPBF	文件：493.17 Kbytes Page：19 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIRS2110/IRS2113arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMO	IRF International Rectifier	IRF
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ISG2113	文件：387.02 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.0V@IC=20A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·GeneralInverter ·PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IX2113	文件：297.77 Kbytes Page：13 Pages	OutputsCapableofSourcingandSinking2A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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产品属性

产品编号：
IR2113STR
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
3.3V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
25ns，17ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

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