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ISG2111	文件：379.05 Kbytes Page：4 Pages	Field-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=6A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·SolarConverters ·UninterruptedPowerSupply ·UPS,PFC ·WeldingConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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ITA-2111	文件：525 Kbytes Page：2 Pages	Intel®Atom™E38451UFanlessSystem;EN50121-4CompliantforRailwayApplications Features Built-inIntel®Atom™E3845quad-coreprocessor,1.91GHz 4GBofDDR3memoryonboard 1Ufanlessrackmountsystem 4xGbEand10xRS-232/422/485portswithisolationdesign 6xUSB2.0and1xUSB3.0slots 1xVGAand1xDVI-Ddisplayoutputs CompliantwithEN5012	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH

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产品属性

产品编号：
IR2111STR
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
散装
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
8.3V，12.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
80ns，40ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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