| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
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12年
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4年
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8575 |
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3年
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IRSOP-8 |
2630 |
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原厂原装正品 |
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1年
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11年
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4年
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
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IRN/A |
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17年
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原装现货 |
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16年
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IRSOIC-8 |
65400 |
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13年
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INFINEONSOP-8 |
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13年
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INFINEONSOP-8 |
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7年
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INFINEONSOP |
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4年
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IRSOIC-8 |
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原装现货,随时欢迎询价 |
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12年
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7年
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1年
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IR2102S图片
IR2102SPBF价格
IR2102SPBF价格:¥6.3243品牌:International
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IR2102STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2102S功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2102SPBF功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2102STRPBF功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2102STR功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
产品属性
- 产品编号:
IR2102S
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
散装
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,3V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
210mA,360mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
100ns,50ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC





























