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IPW65R125C7中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPW65R125C7

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 9:40:00

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IPW65R125C7规格书详情

描述 Description

英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装,并且得益于其低开关损耗,可在全负载范围内提高效率。

特性 Features

• 650V 电压
• 具有突破性且出色的R DS(on)/封装
• 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)
• 低栅极电荷Qg
• 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间
• 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验

优势:
• 提高安全裕度,适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
• 低通态损耗/小封装
• 低开关损耗
• 提高轻载效率
• 增加功率密度
• 出色的CoolMOS™质量

应用 Application

• 通信
• 服务器
• 太阳能
• 计算机电源

技术参数

  • 制造商编号

    :IPW65R125C7

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPW65R125C7XKSA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO247-3

  • VDS max

    :650 V

  • RDS (on) @10V max

    :125 mΩ

  • ID @25°C max

    :18 A

  • QG typ @10V

    :35 nC

  • Special Features

    :highest performance

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • VGS(th) min

    :3 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • Technology

    :CoolMOS™ C7

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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